N-Channel MOSFET, 97 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16322Q5

Код товара RS: 827-4697PБренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD16322Q5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

97 A

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

SON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

7,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

3,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6,8 нКл при 4,5 В

Ширина

5.1мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

NexFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.05мм

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 97 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16322Q5
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 97 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16322Q5
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

97 A

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

SON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

7,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

3,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6,8 нКл при 4,5 В

Ширина

5.1мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

NexFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.05мм

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments