N-Channel MOSFET, 97 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16322Q5

Код товара RS: 827-4697Бренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD16322Q5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

97 A

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

SON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

7,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

3,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6,8 нКл при 4,5 В

Ширина

5.1мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

NexFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.05мм

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

тг 2 525,55

тг 505,11 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 97 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16322Q5
Select packaging type

тг 2 525,55

тг 505,11 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 97 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16322Q5

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 505,11тг 2 525,55
50 - 95тг 375,48тг 1 877,40
100 - 245тг 357,60тг 1 788,00
250 - 495тг 303,96тг 1 519,80
500+тг 268,20тг 1 341,00

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

97 A

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

SON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

7,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

3,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6,8 нКл при 4,5 В

Ширина

5.1мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

NexFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.05мм

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments