N-Channel MOSFET, 2.9 A, 12 V, 3-Pin PICOSTAR Texas Instruments CSD13383F4T

Код товара RS: 900-9955PБренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD13383F4T
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Texas Instruments

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

PICOSTAR

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

65 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +10 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

0.64мм

Типичный заряд затвора при Vgs

2 нКл при 0 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.04мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

FemtoFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Высота

0.35мм

Информация о товаре

N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 2.9 A, 12 V, 3-Pin PICOSTAR Texas Instruments CSD13383F4T
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 2.9 A, 12 V, 3-Pin PICOSTAR Texas Instruments CSD13383F4T
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Texas Instruments

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

PICOSTAR

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

65 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +10 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

0.64мм

Типичный заряд затвора при Vgs

2 нКл при 0 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.04мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

FemtoFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Высота

0.35мм

Информация о товаре

N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments