Texas Instruments CSD13383F4T MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

PICOSTAR

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

65 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +10 В

Ширина

1.04мм

Количество элементов на ИС

1

Типичный заряд затвора при Vgs

2 нКл при 0 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

0.64мм

Высота

0.35мм

Серия

FemtoFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Страна происхождения

Philippines