N-Channel MOSFET, 2.1 A, 12 V, 3-Pin PICOSTAR Texas Instruments CSD13381F4T

Код товара RS: 823-9231PБренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD13381F4T
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Texas Instruments

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

PICOSTAR

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

400 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.65V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+8 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

1.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,06 нКл при 4,5 В

Ширина

0.64мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

FemtoFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.35мм

Информация о товаре

N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 2.1 A, 12 V, 3-Pin PICOSTAR Texas Instruments CSD13381F4T
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 2.1 A, 12 V, 3-Pin PICOSTAR Texas Instruments CSD13381F4T
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Texas Instruments

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

PICOSTAR

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

400 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.65V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+8 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

1.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,06 нКл при 4,5 В

Ширина

0.64мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

FemtoFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.35мм

Информация о товаре

N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments