N-Channel MOSFET, 3.5 A, 12 V, 6-Pin DSBGA Texas Instruments CSD13306WT

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

DSBGA

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

15,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

1,9 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8,6 нКл при 0 В

Ширина

1.49мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

NexFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Высота

0.28мм