N-Channel MOSFET, 3.5 A, 12 V, 6-Pin DSBGA Texas Instruments CSD13303W1015
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Тип корпуса
DSBGA
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.65V
Максимальное рассеяние мощности
1,65 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
3,9 нКл при 4,5 В
Ширина
1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
0.38мм
Серия
NexFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 10 - 40 | P.O.A. |
| 50 - 90 | P.O.A. |
| 100 - 240 | P.O.A. |
| 250 - 490 | P.O.A. |
| 500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Тип корпуса
DSBGA
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.65V
Максимальное рассеяние мощности
1,65 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
3,9 нКл при 4,5 В
Ширина
1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
0.38мм
Серия
NexFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре