Texas Instruments BQ500101DPCT MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
10 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
NexFET
Тип корпуса
VSON-CLIP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
3.7V
Максимальное рассеяние мощности
8 Вт
Конфигурация транзистора
Двойная база
Ширина
3.6мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Длина
4.6мм
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Прямое напряжение диода
0.24V
Информация о товаре
Power MOSFET Modules, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
10 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
NexFET
Тип корпуса
VSON-CLIP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
3.7V
Максимальное рассеяние мощности
8 Вт
Конфигурация транзистора
Двойная база
Ширина
3.6мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Длина
4.6мм
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Прямое напряжение диода
0.24V
Информация о товаре