Texas Instruments BQ500101DPCT MOSFET

Код товара RS: 133-0142Бренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: BQ500101DPCT

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

VSON-CLIP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3.7V

Максимальное рассеяние мощности

8 Вт

Конфигурация транзистора

Двойная база

Ширина

3.6мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Длина

4.6мм

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

0.24V

Информация о товаре

Power MOSFET Modules, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Texas Instruments BQ500101DPCT MOSFET
Select packaging type

P.O.A.

Texas Instruments BQ500101DPCT MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

VSON-CLIP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3.7V

Максимальное рассеяние мощности

8 Вт

Конфигурация транзистора

Двойная база

Ширина

3.6мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Длина

4.6мм

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

0.24V

Информация о товаре

Power MOSFET Modules, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments