Техническая документация
Характеристики
Количество элементов на ИС
1
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Число контактов
3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Конфигурация транзистора
Одинарный
Прямое напряжение диода
1.13V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Высота
2.28мм
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Длина
6.5мм
Ширина
6.1мм
Максимальное рассеяние мощности
50 Вт
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Типичный заряд затвора при Vgs
14,5 нКл при 10 В
Brand
Taiwan SemiconductorИнформация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Техническая документация
Характеристики
Количество элементов на ИС
1
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Число контактов
3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Конфигурация транзистора
Одинарный
Прямое напряжение диода
1.13V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Высота
2.28мм
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Длина
6.5мм
Ширина
6.1мм
Максимальное рассеяние мощности
50 Вт
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Типичный заряд затвора при Vgs
14,5 нКл при 10 В
Brand
Taiwan Semiconductor