N-Channel MOSFET, 3 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Taiwan Semi TSM2308CX RFG

Код товара RS: 171-3697Бренд: Taiwan SemiconductorПарт-номер производителя: TSM2308CX RFG
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Taiwan Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

192 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

3,99 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.05мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 3 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Taiwan Semi TSM2308CX RFG
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 3 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Taiwan Semi TSM2308CX RFG
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Taiwan Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

192 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

3,99 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.05мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C