Taiwan Semi P-Channel MOSFET, 3 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 TSM2307CX RFG

Код товара RS: 743-6030Бренд: Taiwan SemiconductorПарт-номер производителя: TSM2307CX RFG
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

140 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В

Ширина

1.7мм

Высота

1.2мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor

MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor

Вас может заинтересовать
Infineon IRLML5203TRPBF MOSFET
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

тг 2 346,75

тг 93,87 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Taiwan Semi P-Channel MOSFET, 3 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 TSM2307CX RFG
Select packaging type

тг 2 346,75

тг 93,87 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Taiwan Semi P-Channel MOSFET, 3 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 TSM2307CX RFG

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 25тг 93,87тг 2 346,75
50 - 75тг 71,52тг 1 788,00
100 - 175тг 62,58тг 1 564,50
200 - 375тг 58,11тг 1 452,75
400+тг 53,64тг 1 341,00
Вас может заинтересовать
Infineon IRLML5203TRPBF MOSFET
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

140 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В

Ширина

1.7мм

Высота

1.2мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor

MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor

Вас может заинтересовать
Infineon IRLML5203TRPBF MOSFET
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)