Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
140 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
10 нКл при 10 В
Ширина
1.7мм
Высота
1.2мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor
MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor
тг 2 346,75
тг 93,87 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 2 346,75
тг 93,87 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 25 | тг 93,87 | тг 2 346,75 |
50 - 75 | тг 71,52 | тг 1 788,00 |
100 - 175 | тг 62,58 | тг 1 564,50 |
200 - 375 | тг 58,11 | тг 1 452,75 |
400+ | тг 53,64 | тг 1 341,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
140 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
10 нКл при 10 В
Ширина
1.7мм
Высота
1.2мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре