P-Channel MOSFET, 1.3 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Taiwan Semi TSM2303CX RFG

Код товара RS: 171-3693Бренд: Taiwan SemiconductorПарт-номер производителя: TSM2303CX RFG
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Taiwan Semiconductor

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

300 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

700 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

1.7мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 4,5 В

Высота

1.2мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 1.3 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Taiwan Semi TSM2303CX RFG
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 1.3 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Taiwan Semi TSM2303CX RFG
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Taiwan Semiconductor

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

300 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

700 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

1.7мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 4,5 В

Высота

1.2мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V