Taiwan Semiconductor TSM1NB60CH C5G MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

10 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

39 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Ширина

2.3мм

Количество элементов на ИС

1

Типичный заряд затвора при Vgs

6,1 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.6мм

Высота

6.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.4V