Taiwan Semiconductor TSM120N06LCS RLG MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

23 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

12,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 4,5 В, 37 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.85мм

Ширина

3.9мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Высота

1.55мм