N-Channel MOSFET, 55 A, 30 V, 3-Pin DPAK Taiwan Semi TSM090N03CP ROG

Код товара RS: 171-3659Бренд: Taiwan SemiconductorПарт-номер производителя: TSM090N03CP ROG
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Taiwan Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

55 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

13 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

40 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

5.8мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

7,5 нКл при 4,5 В

Высота

2.3мм

Прямое напряжение диода

1V

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 55 A, 30 V, 3-Pin DPAK Taiwan Semi TSM090N03CP ROG
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 55 A, 30 V, 3-Pin DPAK Taiwan Semi TSM090N03CP ROG
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Taiwan Semiconductor

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

55 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

13 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

40 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

5.8мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

7,5 нКл при 4,5 В

Высота

2.3мм

Прямое напряжение диода

1V