Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorКонфигурация диода
Одиночный
Тип продукции
TVS диод
Тип направления
Двунаправленный
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
31.1V
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
DO-214
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
28V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)
600W
Напряжение ограничения (VC)
45.4V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
13.2A
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
2.45мм
Длина
4.75мм
Ширина
3.95 mm
Серия
SMBJ
Стандарты/одобрения
FBI
Максимальный обратный ток утечки
5μA
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
50
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorКонфигурация диода
Одиночный
Тип продукции
TVS диод
Тип направления
Двунаправленный
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
31.1V
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
DO-214
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
28V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)
600W
Напряжение ограничения (VC)
45.4V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
13.2A
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
2.45мм
Длина
4.75мм
Ширина
3.95 mm
Серия
SMBJ
Стандарты/одобрения
FBI
Максимальный обратный ток утечки
5μA
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре