Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorКонфигурация диода
Одиночный
Тип продукции
TVS диод
Тип направления
Однонаправленный
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
420V
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Корпус
DO-201
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
342V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)
1.5kW
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
2.8A
Напряжение ограничения (VC)
548V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Количество элементов на ИС
1
Длина
9.5мм
Диаметр
5.6 mm
Стандарты/одобрения
FBI
Серия
1V5KE
Автомобильный стандарт
Нет
Максимальный обратный ток утечки
5μA
Информация о товаре
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
25
Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorКонфигурация диода
Одиночный
Тип продукции
TVS диод
Тип направления
Однонаправленный
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
420V
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Корпус
DO-201
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
342V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)
1.5kW
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
2.8A
Напряжение ограничения (VC)
548V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Количество элементов на ИС
1
Длина
9.5мм
Диаметр
5.6 mm
Стандарты/одобрения
FBI
Серия
1V5KE
Автомобильный стандарт
Нет
Максимальный обратный ток утечки
5μA
Информация о товаре