Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип направления
Двунаправленный
Конфигурация диода
2 сдвоенных с общим катодом
Тип продукции
TVS диод
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
80V
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOIC
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
70V
Число контактов
8
Минимальная рабочая температура
-55°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
90A
Защита от ЭСР
Да
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
150°C
Серия
TPI
Ширина
4 mm
Материал каски/сварочной маски
1.5мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Максимальный обратный ток утечки
10μA
Информация о товаре
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип направления
Двунаправленный
Конфигурация диода
2 сдвоенных с общим катодом
Тип продукции
TVS диод
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
80V
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOIC
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
70V
Число контактов
8
Минимальная рабочая температура
-55°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
90A
Защита от ЭСР
Да
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
150°C
Серия
TPI
Ширина
4 mm
Материал каски/сварочной маски
1.5мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Максимальный обратный ток утечки
10μA
Информация о товаре