Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsСредний номинальный ток во включенном состоянии (Irms)
30A
Тип продукции
Тиристорный регулятор мощности
Тип тиристора
SCR
Корпус
TO-220
Повторяющееся пиковое обратное напряжение (VDRM)
600V
Номинальный ток перегрузки
295A
Тип монтажа
Поверхность
Максимальный отпирающий ток затвора (Igt)
15mA
Число контактов
3
Максимальный удерживающий ток (Ih)
60mA
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальное отпирающее напряжение затвора (Vgt)
1.3V
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Повторяющийся пиковый ток в выключенном состоянии
10μA
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics High temperature insulated thyristor SCR offers high thermal performance operation up to 30A rms. Its trade-off noise immunity (dV/dt = 1000 V/μs) versus its gate triggering current (IGT = 15mA) and its turn-on current rise (dI/dt = 100A/μs) allows to design robust and compact control circuit for voltage regulator.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
50
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsСредний номинальный ток во включенном состоянии (Irms)
30A
Тип продукции
Тиристорный регулятор мощности
Тип тиристора
SCR
Корпус
TO-220
Повторяющееся пиковое обратное напряжение (VDRM)
600V
Номинальный ток перегрузки
295A
Тип монтажа
Поверхность
Максимальный отпирающий ток затвора (Igt)
15mA
Число контактов
3
Максимальный удерживающий ток (Ih)
60mA
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальное отпирающее напряжение затвора (Vgt)
1.3V
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Повторяющийся пиковый ток в выключенном состоянии
10μA
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics High temperature insulated thyristor SCR offers high thermal performance operation up to 30A rms. Its trade-off noise immunity (dV/dt = 1000 V/μs) versus its gate triggering current (IGT = 15mA) and its turn-on current rise (dI/dt = 100A/μs) allows to design robust and compact control circuit for voltage regulator.
