Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Операционный усилитель
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SO
Количество каналов
2
Число контактов
8
GBP - произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
4MHz
Минимальное напряжение питания
6V
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
36V
Входной ток смещения
20 nA
Минимальная рабочая температура
-40°C
Vos - входное напряжение смещения нуля
5 mV
Скорость нарастания
16V/μs
Максимальная рабочая температура
105°C
Материал каски/сварочной маски
1.5мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Ширина
4 mm
Серия
TL082
Диапазон выходных частот
60mA
Автомобильный стандарт
AEC-Q100
Входной ток смещения
4 nA
Информация о товаре
The TL082, TL082A and TL082B are high speed JFET input dual operational amplifiers incorporating well-matched, high voltage JFET and bipolar transistors in a monolithic integrated circuit. The devices feature high slew rates, low input bias and offset current, and low offset voltage temperature coefficient.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Операционный усилитель
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SO
Количество каналов
2
Число контактов
8
GBP - произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
4MHz
Минимальное напряжение питания
6V
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
36V
Входной ток смещения
20 nA
Минимальная рабочая температура
-40°C
Vos - входное напряжение смещения нуля
5 mV
Скорость нарастания
16V/μs
Максимальная рабочая температура
105°C
Материал каски/сварочной маски
1.5мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Ширина
4 mm
Серия
TL082
Диапазон выходных частот
60mA
Автомобильный стандарт
AEC-Q100
Входной ток смещения
4 nA
Информация о товаре
The TL082, TL082A and TL082B are high speed JFET input dual operational amplifiers incorporating well-matched, high voltage JFET and bipolar transistors in a monolithic integrated circuit. The devices feature high slew rates, low input bias and offset current, and low offset voltage temperature coefficient.
