STMicroelectronics TIP35C Транзистор

Код товара RS: 168-6056Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: TIP35C
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

25A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

100V

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

125W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

10

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Максимальная частота перехода (ft)

3MHz

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

34.95мм

Длина

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

TIP35C

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

TIP35C/ TIP36C Complementary power transistors

ST Microelectronics presents its TIP35C/ TIP36C series of complementary power transistors. This type of transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages. The TIP35C/ TIP36C series are specially manufactured in planar technology with base island layout, this results in the transistors showing exceptionally high gain performance whilst also having a very low saturation voltage.

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics TIP35C Транзистор

P.O.A.

STMicroelectronics TIP35C Транзистор

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

25A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

100V

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

125W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

10

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Максимальная частота перехода (ft)

3MHz

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

34.95мм

Длина

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

TIP35C

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

TIP35C/ TIP36C Complementary power transistors

ST Microelectronics presents its TIP35C/ TIP36C series of complementary power transistors. This type of transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages. The TIP35C/ TIP36C series are specially manufactured in planar technology with base island layout, this results in the transistors showing exceptionally high gain performance whilst also having a very low saturation voltage.

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.