STMicroelectronics TIP31A Транзистор

Код товара RS: 168-6169Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: TIP31A
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

3A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

60V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

60V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

2W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

10

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

0°C

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

28.9мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

TIP31A

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics TIP31A Транзистор

1

Доступно в кратности 50
1P.O.A.
51P.O.A.
101P.O.A.
151P.O.A.
201P.O.A.
251P.O.A.
301P.O.A.
351P.O.A.
401P.O.A.
451P.O.A.
501P.O.A.
551P.O.A.
601P.O.A.
651P.O.A.
701P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics TIP31A Транзистор

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 50
1P.O.A.
51P.O.A.
101P.O.A.
151P.O.A.
201P.O.A.
251P.O.A.
301P.O.A.
351P.O.A.
401P.O.A.
451P.O.A.
501P.O.A.
551P.O.A.
601P.O.A.
651P.O.A.
701P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

3A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

60V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

60V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

2W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

10

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

0°C

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

28.9мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

TIP31A

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.