STMicroelectronics TIP2955 Транзистор

Код товара RS: 168-6165Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: TIP2955
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

-15A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

-60V

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

90W

Полярность транзистора

PnP

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

5

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

1.8V

Минимальная рабочая температура

0°C

Максимальная частота перехода (ft)

3MHz

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

34.95мм

Длина

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

PNP Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics TIP2955 Транзистор

1

Доступно в кратности 30
1P.O.A.
31P.O.A.
61P.O.A.
91P.O.A.
121P.O.A.
151P.O.A.
181P.O.A.
211P.O.A.
241P.O.A.
271P.O.A.
301P.O.A.
331P.O.A.
361P.O.A.
391P.O.A.
421P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics TIP2955 Транзистор

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 30
1P.O.A.
31P.O.A.
61P.O.A.
91P.O.A.
121P.O.A.
151P.O.A.
181P.O.A.
211P.O.A.
241P.O.A.
271P.O.A.
301P.O.A.
331P.O.A.
361P.O.A.
391P.O.A.
421P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

-15A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

-60V

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

90W

Полярность транзистора

PnP

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

5

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

1.8V

Минимальная рабочая температура

0°C

Максимальная частота перехода (ft)

3MHz

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

34.95мм

Длина

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

PNP Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.