STMicroelectronics 1 Darlington Transistor NPN, 10 A 100 V HFE:500, 3-Pin TO-247
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор Дарлингтона
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
10A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
100V
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
500
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
125W
Полярность транзистора
NPN
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Минимальная рабочая температура
-65°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2V
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
100V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
5.15 mm
Материал каски/сварочной маски
20.15мм
Длина
15.75мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
TIP142
Максимальный запирающий ток коллектора
1mA
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 2 972,55
тг 594,51 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 972,55
тг 594,51 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 594,51 | тг 2 972,55 |
| 25 - 45 | тг 487,23 | тг 2 436,15 |
| 50 - 95 | тг 478,29 | тг 2 391,45 |
| 100 - 245 | тг 393,36 | тг 1 966,80 |
| 250+ | тг 384,42 | тг 1 922,10 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор Дарлингтона
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
10A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
100V
Корпус
TO-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
500
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
125W
Полярность транзистора
NPN
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Минимальная рабочая температура
-65°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2V
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
100V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
5.15 mm
Материал каски/сварочной маски
20.15мм
Длина
15.75мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
TIP142
Максимальный запирающий ток коллектора
1mA
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.