STMicroelectronics 1 Darlington Transistor NPN, 5 A 80 V HFE:1000, 3-Pin TO-220
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор Дарлингтона
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
5A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
80V
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
1000
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
65W
Полярность транзистора
NPN
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Минимальная рабочая температура
-65°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2V
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
80V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
9.15мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
TIP121
Максимальный запирающий ток коллектора
0.2mA
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 1 341,00
тг 268,20 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 1 341,00
тг 268,20 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 268,20 | тг 1 341,00 |
| 25 - 45 | тг 214,56 | тг 1 072,80 |
| 50 - 95 | тг 210,09 | тг 1 050,45 |
| 100 - 245 | тг 138,57 | тг 692,85 |
| 250+ | тг 134,10 | тг 670,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор Дарлингтона
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
5A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
80V
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
1000
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
65W
Полярность транзистора
NPN
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Минимальная рабочая температура
-65°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2V
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
80V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
9.15мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
TIP121
Максимальный запирающий ток коллектора
0.2mA
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.