Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Диапазон выходных частот
10mA
Число контактов
14
Время спада
90ns
Корпус
SO-16
Тип драйвера
МОП-транзистор
Время нарастания
175нс
Минимальное напряжение питания
26V
Количество драйверов
1
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
26V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
125°C
Длина
8.75мм
Материал каски/сварочной маски
1.65мм
Стандарты/одобрения
Нет
Тип монтажа
Поверхность
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The TD350E device is an advanced gate driver for IGBTs and power MOSFETs. Control and protection functions are included and allow the design of high reliability systems.
The innovative active Miller clamp function eliminates the need for negative gate drive in most applications and allows the use of a simple bootstrap supply for the high side driver.
The device includes a two-level turn-off feature with adjustable level and delay. This function protects against excessive overvoltage at turn-off in case of overcurrent or short-circuit conditions. The same delay set in the two-level turn-off feature is applied at turn-on to prevent pulse width distortion.
The device also includes IGBT desaturation protection and a FAULT status output, and is compatible with both pulse transformer and optocoupler signals.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Диапазон выходных частот
10mA
Число контактов
14
Время спада
90ns
Корпус
SO-16
Тип драйвера
МОП-транзистор
Время нарастания
175нс
Минимальное напряжение питания
26V
Количество драйверов
1
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
26V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
125°C
Длина
8.75мм
Материал каски/сварочной маски
1.65мм
Стандарты/одобрения
Нет
Тип монтажа
Поверхность
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The TD350E device is an advanced gate driver for IGBTs and power MOSFETs. Control and protection functions are included and allow the design of high reliability systems.
The innovative active Miller clamp function eliminates the need for negative gate drive in most applications and allows the use of a simple bootstrap supply for the high side driver.
The device includes a two-level turn-off feature with adjustable level and delay. This function protects against excessive overvoltage at turn-off in case of overcurrent or short-circuit conditions. The same delay set in the two-level turn-off feature is applied at turn-on to prevent pulse width distortion.
The device also includes IGBT desaturation protection and a FAULT status output, and is compatible with both pulse transformer and optocoupler signals.