Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
138A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Серия
MDmesh
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
15mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
414nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
625W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
5.3 mm
Длина
15.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Материал каски/сварочной маски
20.3мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 13 342,95
тг 13 342,95 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 13 342,95
тг 13 342,95 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 29 | тг 13 342,95 |
| 30 - 89 | тг 12 229,92 |
| 90 - 299 | тг 11 291,22 |
| 300 - 599 | тг 10 486,62 |
| 600+ | тг 9 780,36 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
138A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Серия
MDmesh
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
15mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
414nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
625W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
5.3 mm
Длина
15.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Материал каски/сварочной маски
20.3мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
