Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
138A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Серия
MDmesh
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
15mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
414nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
625W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
5.3 mm
Длина
15.9мм
Материал каски/сварочной маски
20.3мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
138A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Серия
MDmesh
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
15mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
414nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
625W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
5.3 mm
Длина
15.9мм
Материал каски/сварочной маски
20.3мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
