STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 138 A, 650 V, 3-Pin Max247 STY145N65M5

Код товара RS: 880-5474PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STY145N65M5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

138 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

MDmesh

Тип корпуса

Max247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

625 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Длина

15.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

414 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

20.3мм

Прямое напряжение диода

1.5V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

P.O.A.

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 138 A, 650 V, 3-Pin Max247 STY145N65M5
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 138 A, 650 V, 3-Pin Max247 STY145N65M5

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

138 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

MDmesh

Тип корпуса

Max247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

625 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Длина

15.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

414 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

20.3мм

Прямое напряжение диода

1.5V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics