STMicroelectronics STW9NK90Z MOSFET

Код товара RS: 485-8623Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STW9NK90Z
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,3 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

72 нКл при 10 В

Ширина

5.15мм

Высота

20.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать

тг 826,95

тг 826,95 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STW9NK90Z MOSFET
Select packaging type

тг 826,95

тг 826,95 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STW9NK90Z MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 826,95
25 - 99тг 648,15
100 - 249тг 563,22
250 - 499тг 505,11
500+тг 464,88
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,3 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

72 нКл при 10 В

Ширина

5.15мм

Высота

20.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать