Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
75A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
200V
Корпус
TO-247
Серия
STripFET
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
34mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
190W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-50°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
84nC
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
5.15 mm
Материал каски/сварочной маски
20.15мм
Длина
15.75мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 1 537,68
тг 1 537,68 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 1 537,68
тг 1 537,68 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 9 | тг 1 537,68 |
| 10 - 29 | тг 1 296,30 |
| 30 - 59 | тг 1 265,01 |
| 60 - 119 | тг 1 238,19 |
| 120+ | тг 1 099,62 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
75A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
200V
Корпус
TO-247
Серия
STripFET
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
34mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
190W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-50°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
84nC
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
5.15 mm
Материал каски/сварочной маски
20.15мм
Длина
15.75мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
