STMicroelectronics STW65N Type N-Channel MOSFET, 54 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247-4 STW65N045M9-4
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
54A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Корпус
TO-247-4
Серия
STW65N
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
45mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
8nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
312W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
±30 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
RoHS
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
30
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
30
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
54A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Корпус
TO-247-4
Серия
STW65N
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
45mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
8nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
312W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
±30 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
RoHS
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China