N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW56N60DM2
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
50 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-247
Серия
MDmesh DM2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
60 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
360 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
15.75мм
Типичный заряд затвора при Vgs
90 нКл при 10 В
Ширина
5.15мм
Количество элементов на ИС
1
Высота
20.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.6V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
50 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-247
Серия
MDmesh DM2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
60 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
360 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
15.75мм
Типичный заряд затвора при Vgs
90 нКл при 10 В
Ширина
5.15мм
Количество элементов на ИС
1
Высота
20.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.6V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.