Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
1500 В
Серия
MDmesh
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
160 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
30 нКл при 10 В
Ширина
5.15мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 2 579,19
тг 2 579,19 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 2 579,19
тг 2 579,19 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 4 | тг 2 579,19 |
5 - 9 | тг 2 525,55 |
10 - 24 | тг 2 270,76 |
25 - 49 | тг 2 118,78 |
50+ | тг 2 074,08 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
1500 В
Серия
MDmesh
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
160 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
30 нКл при 10 В
Ширина
5.15мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре