STMicroelectronics STW4N150 MOSFET

Код товара RS: 687-5251Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STW4N150
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

1500 В

Серия

MDmesh

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

7 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

30 нКл при 10 В

Ширина

5.15мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

20.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 579,19

тг 2 579,19 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STW4N150 MOSFET
Select packaging type

тг 2 579,19

тг 2 579,19 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STW4N150 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 2 579,19
5 - 9тг 2 525,55
10 - 24тг 2 270,76
25 - 49тг 2 118,78
50+тг 2 074,08

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

1500 В

Серия

MDmesh

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

7 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

30 нКл при 10 В

Ширина

5.15мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

20.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics