STMicroelectronics STW3N150 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
1500 В
Серия
MDmesh
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
9 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
140 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
29,3 нКл при 10 В
Ширина
5.15мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20.15мм
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 2 842,92
тг 2 842,92 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 2 842,92
тг 2 842,92 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 9 | тг 2 842,92 |
| 10 - 29 | тг 2 565,78 |
| 30 - 59 | тг 2 382,51 |
| 60 - 119 | тг 2 333,34 |
| 120+ | тг 2 105,37 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
1500 В
Серия
MDmesh
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
9 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
140 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
29,3 нКл при 10 В
Ширина
5.15мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20.15мм
Информация о товаре