Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
29 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-247
Серия
FDmesh
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
110 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
190 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
5.15мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
80,4 нКл при 10 В
Высота
20.15мм
Информация о товаре
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Труба)
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
29 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-247
Серия
FDmesh
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
110 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
190 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
5.15мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
80,4 нКл при 10 В
Высота
20.15мм
Информация о товаре
