STMicroelectronics FDmesh N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW34NM60ND

Код товара RS: 760-9792PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STW34NM60ND
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

29 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

FDmesh

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

190 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

5.15мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

80,4 нКл при 10 В

Высота

20.15мм

Информация о товаре

N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics FDmesh N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW34NM60ND
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics FDmesh N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW34NM60ND

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

29 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

FDmesh

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

190 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

5.15мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

80,4 нКл при 10 В

Высота

20.15мм

Информация о товаре

N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics