STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW34NM60N
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
29 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-247
Серия
MDmesh
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
105 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
210 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
84 нКл при 10 В
Ширина
5.15мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
20.15мм
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 2 579,19
тг 2 579,19 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 2 579,19
тг 2 579,19 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 9 | тг 2 579,19 |
| 10 - 29 | тг 2 319,93 |
| 30 - 59 | тг 2 159,01 |
| 60 - 119 | тг 2 109,84 |
| 120+ | тг 1 908,69 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
29 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-247
Серия
MDmesh
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
105 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
210 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
84 нКл при 10 В
Ширина
5.15мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
20.15мм
Информация о товаре