STMicroelectronics STW28N60DM2 MOSFET

Код товара RS: 111-6480Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STW28N60DM2
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

22A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

TO-247

Серия

MDmesh DM2

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

160mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

190W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

39nC

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Длина

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STW28N60DM2 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 2
1P.O.A.
3P.O.A.
5P.O.A.
7P.O.A.
9P.O.A.
11P.O.A.
13P.O.A.
15P.O.A.
17P.O.A.
19P.O.A.
21P.O.A.
23P.O.A.
25P.O.A.
27P.O.A.
29P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics STW28N60DM2 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 2
1P.O.A.
3P.O.A.
5P.O.A.
7P.O.A.
9P.O.A.
11P.O.A.
13P.O.A.
15P.O.A.
17P.O.A.
19P.O.A.
21P.O.A.
23P.O.A.
25P.O.A.
27P.O.A.
29P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

22A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

TO-247

Серия

MDmesh DM2

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

160mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

190W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

39nC

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Длина

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics