STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 3-Pin TO-247 STW12NK90Z

Код товара RS: 761-0617Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STW12NK90Z
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

880 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

230 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

113 нКл при 10 В

Ширина

5.15мм

Высота

20.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 390,17

тг 1 390,17 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 3-Pin TO-247 STW12NK90Z
Select packaging type

тг 1 390,17

тг 1 390,17 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 3-Pin TO-247 STW12NK90Z
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 9тг 1 390,17
10 - 29тг 1 269,48
30 - 59тг 1 197,96
60 - 119тг 1 171,14
120+тг 1 032,57

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

880 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

230 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

113 нКл при 10 В

Ширина

5.15мм

Высота

20.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics