STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 10.5 A, 800 V, 3-Pin TO-247 STW12NK80Z

Код товара RS: 920-8859Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STW12NK80Z
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

750 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

190 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

87 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.15мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

20.15мм

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 10.5 A, 800 V, 3-Pin TO-247 STW12NK80Z

P.O.A.

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 10.5 A, 800 V, 3-Pin TO-247 STW12NK80Z
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

750 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

190 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

87 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.15мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

20.15мм

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics