N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW120NF10

Код товара RS: 146-0412Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STW120NF10
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

STripFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

10,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

312 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

15.75мм

Типичный заряд затвора при Vgs

172 нКл при 10 В

Ширина

5.15мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

20.15мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW120NF10

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW120NF10
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

STripFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

10,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

312 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

15.75мм

Типичный заряд затвора при Vgs

172 нКл при 10 В

Ширина

5.15мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

20.15мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics