Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
110 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
TO-247
Серия
STripFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
312 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
15.75мм
Типичный заряд затвора при Vgs
172 нКл при 10 В
Ширина
5.15мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
20.15мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
110 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
TO-247
Серия
STripFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
312 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
15.75мм
Типичный заряд затвора при Vgs
172 нКл при 10 В
Ширина
5.15мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
20.15мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре