STMicroelectronics STW10NK80Z MOSFET

Код товара RS: 485-8572Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STW10NK80Z
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

900 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

72 нКл при 10 В

Высота

20.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800V
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800VБренд: Toshiba
P.O.A.Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 877,40

тг 1 877,40 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STW10NK80Z MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 877,40
2тг 3 754,80
3тг 5 632,20
4тг 7 509,60
5тг 9 387,00
6тг 11 264,40
7тг 13 141,80
8тг 15 019,20
9тг 16 896,60
10тг 18 774,00
11тг 20 651,40
12тг 22 528,80
13тг 24 406,20
14тг 26 283,60
15тг 28 161,00

тг 1 877,40

тг 1 877,40 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STW10NK80Z MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 877,40
2тг 3 754,80
3тг 5 632,20
4тг 7 509,60
5тг 9 387,00
6тг 11 264,40
7тг 13 141,80
8тг 15 019,20
9тг 16 896,60
10тг 18 774,00
11тг 20 651,40
12тг 22 528,80
13тг 24 406,20
14тг 26 283,60
15тг 28 161,00

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 1 877,40
25 - 99тг 1 640,49
100 - 249тг 1 528,74
250 - 499тг 1 466,16
500+тг 1 381,23
Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800V
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800VБренд: Toshiba
P.O.A.Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

900 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

72 нКл при 10 В

Высота

20.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800V
N-channel MOSFET,2SK2607 9A 800VБренд: Toshiba
P.O.A.Each (ex VAT)