Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
6A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
20V
Корпус
SOIC
Серия
STripFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
45mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
2.5W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
12 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
8.5nC
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4 mm
Материал каски/сварочной маски
1.25мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 1 229,25
тг 245,85 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 1 229,25
тг 245,85 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 245,85 | тг 1 229,25 |
| 25 - 95 | тг 192,21 | тг 961,05 |
| 100 - 245 | тг 165,39 | тг 826,95 |
| 250 - 495 | тг 138,57 | тг 692,85 |
| 500+ | тг 138,57 | тг 692,85 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
6A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
20V
Корпус
SOIC
Серия
STripFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
45mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
2.5W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
12 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
8.5nC
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4 mm
Материал каски/сварочной маски
1.25мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
