STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET, 6 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Код товара RS: 178-5118Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STS6NF20V
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

6A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

20V

Корпус

SOIC

Серия

STripFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

45mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

2.5W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

12 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

8.5nC

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4 mm

Материал каски/сварочной маски

1.25мм

Длина

5мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET, 6 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC

P.O.A.

STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET, 6 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

6A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

20V

Корпус

SOIC

Серия

STripFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

45mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

2.5W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

12 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

8.5nC

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4 mm

Материал каски/сварочной маски

1.25мм

Длина

5мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет