STMicroelectronics DeepGate, STripFET Type N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC STS5NF60L

Код товара RS: 795-8868Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STS5NF60L
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

5A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

SOIC

Серия

DeepGate, STripFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

55mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

2.5W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

17nC

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4 mm

Материал каски/сварочной маски

1.65мм

Длина

5мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 441,90

тг 344,19 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics DeepGate, STripFET Type N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC STS5NF60L
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 3 441,90
20тг 6 883,80
30тг 10 325,70
40тг 13 767,60
50тг 16 986,00
60тг 20 383,20
70тг 23 780,40
80тг 27 177,60
90тг 30 574,80
100тг 26 820,00
110тг 29 502,00
120тг 32 184,00
130тг 34 866,00
140тг 37 548,00
150тг 40 230,00

тг 3 441,90

тг 344,19 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics DeepGate, STripFET Type N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC STS5NF60L

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 3 441,90
20тг 6 883,80
30тг 10 325,70
40тг 13 767,60
50тг 16 986,00
60тг 20 383,20
70тг 23 780,40
80тг 27 177,60
90тг 30 574,80
100тг 26 820,00
110тг 29 502,00
120тг 32 184,00
130тг 34 866,00
140тг 37 548,00
150тг 40 230,00

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 344,19тг 3 441,90
50 - 90тг 339,72тг 3 397,20
100 - 490тг 268,20тг 2 682,00
500 - 1990тг 245,85тг 2 458,50
2000+тг 187,74тг 1 877,40

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

5A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

SOIC

Серия

DeepGate, STripFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

55mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

2.5W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

17nC

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4 mm

Материал каски/сварочной маски

1.65мм

Длина

5мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics