Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOIC
Серия
DeepGate, STripFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
55 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
17 нКл при 5 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4мм
Длина
5мм
Высота
1.65мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOIC
Серия
DeepGate, STripFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
55 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
17 нКл при 5 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4мм
Длина
5мм
Высота
1.65мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
