N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V, 8-Pin SOIC STMicroelectronics STS5NF60L

Код товара RS: 795-8868Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STS5NF60L
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

DeepGate, STripFET

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

55 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

17 нКл при 5 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

1.65мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 344,19

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V, 8-Pin SOIC STMicroelectronics STS5NF60L
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 3 441,90
20тг 6 883,80
30тг 10 325,70
40тг 13 767,60
50тг 16 986,00
60тг 20 383,20
70тг 23 780,40
80тг 27 177,60
90тг 30 574,80
100тг 26 820,00
110тг 29 502,00
120тг 32 184,00
130тг 34 866,00
140тг 37 548,00
150тг 40 230,00

тг 344,19

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V, 8-Pin SOIC STMicroelectronics STS5NF60L
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 3 441,90
20тг 6 883,80
30тг 10 325,70
40тг 13 767,60
50тг 16 986,00
60тг 20 383,20
70тг 23 780,40
80тг 27 177,60
90тг 30 574,80
100тг 26 820,00
110тг 29 502,00
120тг 32 184,00
130тг 34 866,00
140тг 37 548,00
150тг 40 230,00

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 344,19тг 3 441,90
50 - 90тг 339,72тг 3 397,20
100 - 490тг 268,20тг 2 682,00
500 - 1990тг 245,85тг 2 458,50
2000+тг 187,74тг 1 877,40

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

DeepGate, STripFET

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

55 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

17 нКл при 5 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

1.65мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics