STMicroelectronics SuperMESH Dual N-Channel MOSFET, 0.4 A, 450 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS1DNC45

Код товара RS: 151-446Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STS1DNC45
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Dual N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

0.4A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

450V

Корпус

SO-8

Серия

SuperMESH

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

4.5Ом

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-65°C

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

10nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

2W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

30 V

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

RoHS

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)

STMicroelectronics SuperMESH Dual N-Channel MOSFET, 0.4 A, 450 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS1DNC45

P.O.A.

Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)

STMicroelectronics SuperMESH Dual N-Channel MOSFET, 0.4 A, 450 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS1DNC45

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Dual N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

0.4A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

450V

Корпус

SO-8

Серия

SuperMESH

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

4.5Ом

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-65°C

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

10nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

2W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

30 V

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

RoHS

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China