Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип P
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
2A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
30V
Корпус
SOT-23
Серия
STripFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
90mΩ
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
-1.1V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
350mW
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
6nC
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Длина
3.04мм
Ширина
1.75 mm
Материал каски/сварочной маски
1.3мм
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
50
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип P
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
2A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
30V
Корпус
SOT-23
Серия
STripFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
90mΩ
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
-1.1V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
350mW
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
6nC
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Длина
3.04мм
Ширина
1.75 mm
Материал каски/сварочной маски
1.3мм
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
