STMicroelectronics STripFET P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 STR2P3LLH6
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
STripFET
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
90 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
6 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.75мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
1.3мм
Прямое напряжение диода
1.1V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 4 917,00
тг 98,34 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 4 917,00
тг 98,34 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
50
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 200 | тг 98,34 | тг 4 917,00 |
| 250 - 700 | тг 84,93 | тг 4 246,50 |
| 750 - 1450 | тг 80,46 | тг 4 023,00 |
| 1500 - 2950 | тг 49,17 | тг 2 458,50 |
| 3000+ | тг 44,70 | тг 2 235,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
STripFET
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
90 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
6 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.75мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
1.3мм
Прямое напряжение диода
1.1V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.